تعتمد القوة المغناطيسية الناشئة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي ومسافة الإلكترون صحيح خطأ؟
العبارة المقدمة حول تعتمد القوة المغناطيسية الناشئة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي ومسافة الإلكترون هي خاطئة. الجواب الصحيح هو أن القوة المغناطيسية التي يتعرض لها الإلكترون في مجال مغناطيسي تعتمد في الواقع على ثلاثة عوامل رئيسية: شدة المجال المغناطيسي، وسرعة الإلكترون، والزاوية المحصورة بين متجه سرعة الإلكترون واتجاه المجال المغناطيسي. لا تعتمد القوة المغناطيسية على المسافة الفعلية للإلكترون عن المجال المغناطيسي، بل تعتمد على العوامل المذكورة أعلاه.
إجابة الطالب المختصرة من خلال موقع واحة الإجابات هي
الجواب الصحيح هو خطأ ❎. العبارة خاطئة. والصواب. تعتمد القوة الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الألكترون على شدة المجال المغناطيسي، وسرعة الألكترون والزاوية المحصورة بين متجه السرعة واتجاه المجال المغناطيسي.
اذا كان لديك إجابة افضل او هناك خطأ في الإجابة علي سؤال تعتمد القوة المغناطيسية الناشئة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي ومسافة الإلكترون صحيح خطأ اترك تعليق فورآ.
